[发明专利]对准标记及其形成方法、半导体的对准方法无效
| 申请号： | 200810095458.4 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101567302A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 林鸿铭;林晓江;蔡孟峰;邱德安 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/544;G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对准标记及其形成方法、以及半导体的对准方法。该对准标记配置于基底上。对准标记包括第一介电层和金属层。第一介电层配置于基底上，包括标记沟渠以及接触窗。金属层配置于标记沟渠与接触窗中，其中金属层的表面与第一介电层的表面齐平。由于金属层与第一介电层具有不同的反射率和折射率，因此对准光束以此作为侦测出对准标记的依据。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 及其 形成 方法 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种形成对准标记的方法，包括：提供基底；于该基底上形成具有标记沟渠以及接触窗的第一介电层；于该基底上形成金属层，该金属层填满该标记沟渠以及该接触窗；移除该标记沟渠以及该接触窗以外的该金属层，其中该标记沟渠内的该金属层的表面与该第一介电层的表面齐平，其中该金属层与该第一介电层具有不同的反射率与折射率以作为对准光束侦测出对准标记的依据。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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