[发明专利]蚀刻气体控制系统无效
| 申请号： | 200810095599.6 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101299406A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 朴根周;蔡焕国;李炳日;金起铉;李元默 | 申请（专利权）人： | 显示器生产服务株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;G05D7/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘佳斐;蔡胜利 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一蚀刻气体控制系统，此系统包括一气体注射器、一气体供应管、一流量比控制器、及一气体供应单元。该气体注射器安装在一容室内，并供应气体至容室内部。该气体注射器包括一安装于容室顶部的顶部注射器，及一安装于容室一侧的侧部注射器。该气体供应管与该气体注射器连接，并供应气体至该气体注射器。该流量比控制器与该气体供应管连接，并控制气体的供应。该气体供应单元则供应气体至该流量比控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 气体 控制系统 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻气体控制系统，其包括：一气体注射器，安装于一容室内，用以供应气体至该容室内部；该容室中安装有一晶圆；该气体注射器包括：一顶部注射器，安装在该容室的顶部，并从晶圆顶部方向供应气体；及一侧部注射器，安装在该容室一侧部，并从晶圆一侧向供应气体；一气体供应管，与该气体注射器连接并供应气体至该气体注射器；一流量比控制器，与该气体供应管连接，并控制气体的供应；及一气体供应单元，供应气体至该流量比控制器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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