[发明专利]具有高深宽比镀通孔的装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810095823.1 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101266931A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 杨学安;郑博仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 台湾省高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有镀通孔的装置的制造方法包含下列步骤：将一介电材料层形成于一基材上，其中该介电材料层包含一贯穿孔；将一种子金属层形成于该介电材料层上与该贯穿孔内；将一金属层形成于该种子金属层上，并填满该贯穿孔；借助一旋转蚀刻制程，将位于该种子金属层的上方与该贯穿孔之外的该金属层蚀刻掉，如此使位于该贯穿孔之内的该金属层形成一下半部；将一上半部形成于该下半部上，且将一金属线路形成在该种子金属层上，其中该上半部与下半部形成一镀通孔，且该镀通孔及该金属线路裸露出部分的该种子金属层；以及将裸露出的该种子金属层蚀刻掉。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 高深 镀通孔 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有镀通孔的装置的制造方法，包含下列步骤：提供一基材，具有至少一接垫；将介电材料层形成于该基材上，其中该介电材料层包含贯穿孔裸露出该接垫，且该贯穿孔具有预定深宽比；将种子金属层形成于该介电材料层上与该贯穿孔内，并电性连接于该接垫；将金属层形成于该种子金属层上，并填满该贯穿孔；借助旋转蚀刻制程，将位于该种子金属层的上方与该贯穿孔之外的该金属层蚀刻掉，如此使位于该贯穿孔之内的该金属层形成镀通孔下半部；将镀通孔上半部形成于该镀通孔下半部上，且将金属线路形成在位于该介电材料层的该种子金属层上，其中该镀通孔上半部与镀通孔下半部形成镀通孔，其具有该预定深宽比，且该镀通孔及该金属线路裸露出部分的该种子金属层；以及将裸露出的该种子金属层蚀刻掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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