[发明专利]可以避免有源区宽度减小的半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置的制造方法，所述方法可以避免隔离结构的丧失并且还可以稳定地形成外延硅层。所述半导体装置的制造方法包括在具有有源区和隔离区的半导体衬底中界定沟槽。所述沟槽部分用第一绝缘层填充。蚀刻保护层形成于用所述第一绝缘层填充的沟槽的表面上。第二绝缘层被填充在形成有所述蚀刻保护层的沟槽中，从而在半导体衬底的隔离区中形成隔离结构。最后，半导体衬底的有源区的部分被凹入，使得所述隔离结构具有比所述半导体衬底的有源区区高的高度。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，包括的步骤是：在具有有源区和隔离区的半导体衬底的隔离区中界定沟槽；在所述沟槽的下部中形成第一绝缘层；在用所述第一绝缘层填充的沟槽的表面上形成蚀刻保护层；在形成有所述蚀刻保护层和第一绝缘层的沟槽中填充第二绝缘层，从而在所述半导体衬底的隔离区中形成隔离结构；并且将所述半导体衬底的有源区的部分凹入，使得所述隔离结构具有比所述半导体衬底的有源区高的高度。