[发明专利]电子器件的封装和形成的方法有效
| 申请号： | 200810096308.5 | 申请日： | 2008-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101261977A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | J·W·盖茨;D·W·舍利尔;J·J·费希尔 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/48;B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 顾敏 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供电子器件的封装和形成它们的方法。电子器件的封装包括固定在衬底上的电子器件、导电通路和衬底中局部变薄的区域。本发明提供例如在电子工业中用于容纳一个或多个诸如IC、光电子的、或MEMS元件的电子器件的密封封装的申请。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 封装 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种电子器件的封装，包括：具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的衬底，其中第二表面具有位于其中的局部变薄的区域；位于局部变薄的区域中的导电通路，其延伸穿过衬底，并到达第一表面，其中导电通路和局部变薄的区域中的每一个都包含倾斜的侧壁，其中，导电通路的侧壁和局部变薄的区域的侧壁在同一方向倾斜；和连接到导电通路的电子器件。
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