[发明专利]充电泵电路有效
| 申请号： | 200810096347.5 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101272091A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 木村大树;后藤贤介 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种充电泵电路，其具有产生负电位的负电位产生充电泵电路和产生正电位的正电位产生充电泵电路，可以防止寄生双极型晶体管导通，正常地进行充电泵电路的升压工作。首先，使负电位产生充电泵电路(112)工作，产生－VDD作为输出电位LV。由于将输出电位LV施加到P型半导体衬底(10)上，因此P型半导体衬底(10)的电位成为－VDD。之后，一边使负电位产生充电泵电路(112)继续工作，一边开始正电位产生充电泵电路(111)的工作。由于P型半导体衬底(10)的电位成为－VDD，因此，正电位产生充电泵电路(111)正常地进行工作。在正电位产生充电泵电路(111)的输出电位HV变为2VDD之后，使负电位产生充电泵电路(112)按照第二工作模式(HV的反相工作)工作。 | ||
| 搜索关键词： | 充电 电路 | ||
【主权项】：
1、一种充电泵电路，其具备：正电位产生充电泵电路，其产生正电位；负电位产生充电泵电路，其产生负电位；第一导电型的半导体衬底，其被施加该负电位产生充电泵电路所产生的负电位；控制电路，其控制所述负电位产生充电泵电路和所述正电位产生充电泵电路的工作；第二导电型的阱，其形成在所述半导体衬底的表面上，并被施加所述正电位产生充电泵电路所产生的正电位；第二导电型的扩散层，其形成在所述半导体衬底的表面上；和钳位用二极管，其对所述半导体衬底的电位进行钳位，以便在所述正电位产生充电泵电路工作时，不从所述半导体衬底向所述扩散层流动正向电流。
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