[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，旨在增强具有第一至第四电容元件的半导体器件的可靠性。第一至第四电容元件布置在半导体衬底之上。第一和第二电容元件的串联电路和第三和第四电容元件的串联电路并联地耦合在第一和第二电势之间。第一和第三电容元件的下电极分别由共同导体图案形成，并耦合到第一电势。第二和第四电容元件的下电极分别由与上述导体图案相同层的导体图案形成，并耦合到第二电势。第一和第二电容元件的上电极分别由共同导体图案形成，并达到浮置电势。第三和第四电容元件的上电极分别由与上述导体图案相同层的导体图案形成，并达到浮置电势，但是不通过导体耦合到第一和第二电容元件的上电极。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及布置在所述半导体衬底之上的第一电容元件、第二电容元件、第三电容元件和第四电容元件，其中所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件分别由经由插入在其间的绝缘膜而彼此相对的第一和第二电极形成，其中所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第一电极分别由同一层的导体层形成，其中所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第二电极分别由同一层的导体层形成，其中所述第一电容元件和所述第三电容元件的所述第一电极通过导体彼此电耦合，并且耦合到第一电势，其中所述第二电容元件和所述第四电容元件的所述第一电极通过导体彼此电耦合，并且耦合到与所述第一电势不同的第二电势，其中所述第一电容元件和所述第二电容元件的所述第二电极通过导体彼此电耦合，并且达到浮置电势，其中所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第二电极通过导体彼此电耦合，并且达到浮置电势，以及其中所述第一电容元件和所述第二电容元件的所述第二电极以及所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第二电极不通过导体耦合。