[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810096579.0 | 申请日： | 2008-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101339933A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 堀尾真史;池田良成;望月英司 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，提高半导体装置的可靠性。在半导体装置(1)中，在绝缘板(10a)的下面接合金属箔(10b)，在绝缘板(10a)的上面接合至少一个金属箔(10c、10d)，在金属箔(10c、10d)上通过焊接层(11a、11b)接合厚度大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件(20，21)。另外，当通过焊接层(11a、11b)在金属箔(10c、10d)接合半导体元件(20、21)时，进行焊接以抑制位置偏离。由此，即使长时间使用，也能够实现可靠性优越的半导体装置和半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：绝缘板；与所述绝缘板的第一主面接合的第一金属箔；与所述绝缘板的第二主面接合的至少一个第二金属箔；和通过焊接层接合在所述第二金属箔上的、壁厚大于等于50μm小于100μm的至少一个半导体元件。
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