[发明专利]有机双极型薄膜晶体管及其制造方法无效
申请号: | 200810096637.X | 申请日: | 2008-04-30 |
公开(公告)号: | CN101267021A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 陈方中;黄昱仁;廖呈祥;黄维邦;黄伟明 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人: | 翟羽 |
地址: | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明一种有机双极型薄膜晶体管及其制造方法,其中该有机双极型薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一N型有源层、一P型有源层、一源极以及一漏极,该有机双极型薄膜晶体管还包括一有机修饰绝缘层设置在该栅绝缘层表面上。本发明利用双层异质结构制作该有机双极型薄膜晶体管,可以减少电子或空穴在传输过程中被复合的机会,且将P型有源层制作在最上层,避免N型有源层的电性受到水氧的影响;此外在N型有源层和栅绝缘层之间修饰一层有机修饰绝缘层,选取适当的有机修饰绝缘层可以使电子在通道中容易传递,大大提升N型的电性,解决有机双极型薄膜晶体管在大气中只有P型的电性,使有机双极型薄膜晶体管可在空气中操作。 | ||
搜索关键词: | 有机 双极型 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机双极型薄膜晶体管包括一栅极、一栅绝缘层、一N型有源层、一P型有源层、一源极以及一漏极,其特征在于:该有机双极型薄膜晶体管还包括一有机修饰绝缘层设置在该栅绝缘层表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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