[发明专利]照射设备、半导体制造设备与方法和显示装置制造方法无效
| 申请号： | 200810097038.X | 申请日： | 2008-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101303969A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 月原浩一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/324;B23K26/00;B23K26/06;G02B26/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种照射设备，半导体装置制造设备与方法以及显示装置制造方法。该照射设备用于使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标，其中令w为用于照射照射目标的光束半径，Δ为半导体激光器发散角度的个体差异率，而λ为半导体激光器的光束波长，夹置在半导体激光器与照射目标之间的照射光学系统的焦点位置被散焦，使得焦点位置和照射目标之间的距离z为公式1所示。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 设备 半导体 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标的照射设备，其中令w为用于照射所述照射目标的光束半径，Δ为所述半导体激光器的发散角度的个体差异率，而λ为所述半导体激光器的光束波长，夹置在所述半导体激光器与所述照射目标之间的照射光学系统的焦点位置被散焦，使得所述焦点位置和所述照射目标之间的距离z为公式1：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社，未经索尼株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810097038.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：T细胞表位肽
- 下一篇：利用个人页面在数据通信网络中提供信息的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
