[发明专利]光传感器

摘要

本发明提供一种光传感器。为了提高在X射线摄像显示装置等中所使用的光传感器的输出性能，需要增加在一个传感器结构要素的面积中光电二极管的面积所占的比例。因此，跨过接触孔的开口边缘形成光电二极管，但是，判明依赖于边缘长度的漏电流增大。由于漏电流使光传感器的灵敏度下降，因此漏电流的控制不可缺少。本发明提供一种具有在漏电极(7)上形成的接触孔(CH1)的开口边缘包含光电二极管(100)的边缘的配置关系的光传感器的阵列衬底。

主权项

1.一种光传感器，具有矩阵状地配置有光电二极管和薄膜晶体管的有源矩阵型的TFT阵列衬底，其特征在于，所述薄膜晶体管具有：具有栅电极的多条栅极布线；隔着栅极绝缘膜设置在所述栅电极上的半导体层；与所述半导体层连接的源电极以及漏电极，所述TFT阵列衬底具有：钝化膜，设置在所述薄膜晶体管、所述源电极和所述漏电极的上部；在所述钝化膜上开口的接触孔；光电二极管，通过所述接触孔与所述漏电极连接，所述光电二极管以如下方式形成，即，比所述接触孔的开口边缘更靠近内侧并且比所述漏电极的图形更靠近内侧，所述光电二极管的形成区域的下层平坦。