[发明专利]用于减少微负载效应的半导体装置有效
| 申请号： | 200810097351.3 | 申请日： | 2008-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101477984A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李东兴;杨明宗;郑道;柯庆忠;张添昌;张裕东 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/12;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 葛 强;张一军 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于减少微负载效应的半导体装置，包含：半导体衬底，其上具有位于内部区域以及外部区域之间的中间环形区域；硅锗装置，位于半导体衬底上的内部区域内；以及多个第一填充图案，位于半导体衬底上的中间环形区域内，其中至少一第一填充图案包含硅锗。本发明提供了一种用于减少微负载效应的半导体装置，能够在一定程度上减小外延生长的微负载效应。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 负载 效应 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种用于减少微负载效应的半导体装置，包含：半导体衬底，其上具有位于内部区域以及外部区域之间的中间环形区域；硅锗装置，位于该半导体衬底上的该内部区域内；以及多个第一填充图案，位于该半导体衬底上的该中间环形区域内，其特征在于至少一该第一填充图案包含硅锗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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