[发明专利]发出辐射的半导体元件及降低其操作电压的方法无效
| 申请号： | 200810097609.X | 申请日： | 2008-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101587924A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 林文禹;黄世晟;詹世雄 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;H01S5/323 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发出辐射的半导体元件及降低其操作电压的方法，该半导体元件包含：一用以产生辐射的活性层、一p型传导层、一透明传导层、与一非p型欧姆接触层。其中，p型传导层形成于活性层上，透明传导层形成于p型传导层上，而非p型欧姆接触层介于p型传导层与透明传导层之间，此非p型欧姆接触层是用以降低发出辐射的半导体元件的操作电压。此外，本发明所提供的非p型欧姆接触层为AlxGayIn(1-x-y)N四元合金，上述四元合金中所含的铝成分能使得非p型欧姆接触层的能隙大于活性层，以此降低非p型欧姆接触层的吸光效应，从而达到降低操作电压的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 发出 辐射 半导体 元件 降低 操作 电压 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发出辐射的半导体元件，包含：用以产生辐射的活性层；p型传导层，该p型传导层形成于该活性层上；透明传导层，该透明传导层形成于该p型传导层上；与非p型欧姆接触层，形成于该p型传导层与该透明传导层之间。
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