[发明专利]多波长LED晶粒构造及其制造方法无效
| 申请号： | 200810098618.0 | 申请日： | 2008-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN101599443A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 徐定男 | 申请（专利权）人： | 普尔世纪有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈 泊 |
| 地址： | 英国塞西尔群*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种多波长LED晶粒构造及其制造方法，依据多波长LED晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，且设定各片单波长LED磊晶片的厚度比值；将上述各片单波长LED磊晶片平面相叠接合一体，以形成多波长LED磊晶片；将上述多波长LED磊晶片切割成多波长LED磊晶条；沿上述多波长LED磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层；将上述多波长LED磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长LED晶粒，以发出混光合成特定光色。 | ||
| 搜索关键词： | 波长 led 晶粒 构造 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多波长LED晶粒制造方法，其特征在于，包含有以下步骤：依据上述多波长LED晶粒所需的光色选取多片不同波长及光色的单波长LED磊晶片，且设定各片单波长LED磊晶片的厚度比值；将上述各片单波长LED磊晶片平面相叠接合一体，以形成多波长LED磊晶片；将上述多波长LED磊晶片切割成多波长LED磊晶条；沿上述多波长LED磊晶条的一侧切割面设制一金属反射层；将上述多波长LED磊晶条及其金属反射层共同切割制出上述多波长LED晶粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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