[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法

摘要

本发明提供可以抑制性能恶化的半导体存储装置及半导体存储装置的控制方法。存储控制器将芯片内的各个块分割为由多个页构成的第1页集合，以及由多个页构成的第2页集合，将逻辑地址空间分割为多个组，将各个组分割为多条线。而且，从各个芯片集合规定数量的块来生成多组块单元，其中将规定数量的块单元作为标准块单元，将除此之外的块单元作为预备块单元进行管理。将1个组与各个标准块单元对应，在构成标准块单元的多个块的第1页集合内的页中存储对应组的数据，在第2页集合内的页中设置用于记录该组数据的更新数据的未写入页。

主权项

1. 一种半导体存储装置，其具有存储控制器和多个闪速存储器芯片，其特征在于，所述存储控制器为了控制所述多个闪速存储器芯片，与所述闪速存储器芯片连接，所述多个闪速存储器芯片中的各个闪速存储器芯片包含多个根据所述存储控制器的指示可以一并删除的块，所述块中的各个块由作为所述存储控制器的写入单位的多个页构成，所述存储控制器包含:第一分割部，其将所述各个块分割为由多个所述页构成的第一页集合，和由多个所述页构成的第二页集合；第二分割部，将其逻辑地址空间分割为多个组，将所述组的各个组分割为多条线；管理部，其从所述多个闪速存储器芯片中的各个闪速存储器芯片收集规定数量的所述块，来生成多组块单元，将规定数量的所述块单元作为标准块单元进行管理，将该标准块单元以外的所述块单元作为预备块单元进行管理；以及存储部，其将一个所述组与所述标准块单元中的各个块单元对应，在构成所述标准块单元的多个所述块的所述第一页集合内的所述页中，存储对应的所述组的数据，在构成所述标准块单元的多个所述块的所述第二页集合内的所述页中，具有用于记录所述对应组数据的更新数据的未写入的所述页。