[发明专利]制备无排除区的外延用结构的工艺有效
| 申请号： | 200810098657.0 | 申请日： | 2008-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN101355013A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | C·阿雷纳;F·勒泰特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/20;H01L21/76;H01L21/762;H01L23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 法国克*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备无排除区的外延用结构的工艺，外延用复合结构包括支撑衬底上的至少一层半导体材料的晶体生长籽晶层，支撑衬底和晶体生长籽晶层各自在其结合面的外围包括倒角或边缘倒圆区。该工艺包含至少一步的将晶体生长籽晶层直接结合到支撑衬底的的晶片结合步骤和至少一步的晶体生长籽晶层的减薄步骤，所述的晶体生长籽晶层在减薄后具有与其初始直径相同的直径。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 排除 外延 结构 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种制备外延用复合结构(13)的工艺，外延用复合结构包括支撑衬底(10)上的至少一个半导体材料的晶体生长籽晶层(11)，支撑衬底(10)和晶体生长籽晶层(11)在其结合面的外围都具有倒角或边缘倒圆区，其特征在于，所述工艺包括至少一步通过分子间粘着将晶体生长籽晶层(11)结合到支撑衬底(10)的步骤，和至少一步减薄晶体生长籽晶层(11)的步骤，所述的晶体生长籽晶层(11)在减薄后具有与其起始直径相同的直径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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