[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 200810098710.7 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101388222A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 孔硕贤;朴相奂;李厚山;李宅东;吴薰翔 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/667;G11B5/673;G11B5/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种垂直磁记录介质，包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每一层具有随着与所述衬层的距离的增大而进一步降低的磁各向异性能。
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