[发明专利]具有磁电效应的复合薄膜异质结及其制备方法无效
| 申请号： | 200810098905.1 | 申请日： | 2008-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101286545A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 赵世峰;万建国;刘俊明;韩民;王广厚 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/12;H01L41/16;H01L41/18;H01L41/22 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 栗仲平 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜，R为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合方式是：稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法：将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面，形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层，又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效，具有较强的磁电效应。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 磁电 效应 复合 薄膜 异质结 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和磁致伸缩效应的材料复合形成磁电复合薄膜，其特征在于：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜，其中R代表稀土元素；所述的具有压电效应的材料为聚偏二氟乙烯聚合物压电薄膜；所述两种薄膜材料的复合方式是：所述稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在聚偏二氟乙烯压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层复合薄膜异质结。
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