[发明专利]相变化存储器元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810099165.3 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101383397A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 陈达 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器元件及其制造方法。根据本发明的相变化存储器元件，第二导电间隙壁位于第一导电间隙壁下方。相变化层，包括第一部分和第二部分，其中第一部分大体上平行第一和第二导电间隙壁。第二部分位于第二导电间隙壁上，其中第二导电间隙壁经由相变化层的第二部分，电性连接第一导电间隙壁。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种相变化存储器元件，包括:第一导电间隙壁；第二导电间隙壁，位于该第一导电间隙壁下方；相变化层，包括第一部分和第二部分，其中该第一部分大体上平行该第一和第二导电间隙壁，该第二部分位于该第二导电间隙壁上，其中该第二导电间隙壁经由该相变化层的该第二部分，电性连接该第一导电间隙壁。
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