[发明专利]钨材料的原子层沉积有效
| 申请号： | 200810099485.9 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101308794A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 阿米特·卡恩德尔沃尔;马德赫·穆特;阿维格尼诺斯·V·格拉托斯;吴凯 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;C23C16/52;C23C16/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种用于沉积含钨材料的改进工艺。该工艺应用浸泡工艺和气相沉积工艺，诸如原子层沉积(ALD)以提供具有显著改善表面均匀性以及产量的含钨材料。在一个实施方式中，提供一种用于在衬底上形成含钨材料的方法，该方法包括在工艺腔室内放置衬底，其中该衬底包含沉积在其上的下覆层，在原子层沉积工艺期间将衬底顺序暴露于钨前驱物和还原气体以在下覆层上沉积钨成核层，其中还原气体包括约40∶1、100∶1、500∶1、800∶1、1000∶1或以上的氢气/氢化物流速比，以及在钨成核层上沉积钨块层。还原气体包括氢化物，诸如乙硼烷、硅烷或乙硅烷。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 原子 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种用于在衬底上形成含钨材料的方法，包括：在工艺腔室内放置衬底，其中该衬底包括沉积在其上的下覆层；在原子层沉积工艺期间将衬底顺序暴露于钨前驱物和还原气体以在所述下覆层上沉积钨成核层，其中所述还原气体包括氢气和氢化物，并具有约500∶1或以上的氢气/氢化物流速比；以及在所述钨成核层上沉积钨块层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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