[发明专利]显示装置的制造方法无效
| 申请号： | 200810099592.1 | 申请日： | 2008-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101335202A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕史 | 申请（专利权）人： | 株式会社神户制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/768;H01L21/84;H01L23/532;H01L29/43;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1343;H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种直接接触技术，由于不仅可降低Al合金膜和透明像素电极之间的接触电阻而且耐热性也优良，因而可使Al合金膜与透明像素电极直接接触，而且既可进一步降低Al合金的电阻又可进一步提高生产效率。显示装置的制造方法中在基板上具备有氧化物透明导电膜和Al合金膜直接接触的构造，其中Al合金膜含有选自Ag、Zn、Cu及Ni群的至少一种合金元素为0.5原子％以下，并将基板的温度控制在合金元素的析出温度以上进行Al合金膜的形成。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种显示装置的制造方法，该显示装置具备在基板上氧化物透明导电膜和Al合金膜直接接触的构造，该显示装置的制造方法的特征在于，所述Al合金膜含有0.5原子％以下的从Ag、Zn、Cu及Ni中选出的至少一种合金元素，将所述基板的温度控制在所述合金元素的析出温度以上来形成Al合金膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社神户制钢所，未经株式会社神户制钢所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810099592.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种移开式开关设备用触头盒
- 下一篇：羽毛球拍
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
