[发明专利]在基材上形成穿导孔的方法有效
| 申请号： | 200810099850.6 | 申请日： | 2008-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101281883A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王盟仁 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 台湾省高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种在基材上形成穿导孔的方法，包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一开槽于该基板；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。藉此，可以在该容置空间内形成较厚的绝缘材料，而且该绝缘材料在该容置空间内并不会有厚度不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 形成 穿导孔 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在基材上形成穿导孔的方法，包括：(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一开槽于该基板；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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