[发明专利]等离子体生成装置和使用该装置的工件处理装置无效
申请号: | 200810100192.8 | 申请日: | 2008-05-28 |
公开(公告)号: | CN101315875A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 三毛正明;万川宏史;增田滋;林博史 | 申请(专利权)人: | 诺日士钢机株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/3065;H05H1/26;C23C16/455;C23F4/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李雪春;武玉琴 |
地址: | 日本和*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供等离子体生成装置和使用该装置的工件处理装置。所述等离子体生成装置在等离子体生成喷嘴(31)的前端安装有适配器(38),把所述点状吹出口变换成长形的吹出口(387),而且还设置有罩构件(93),覆盖多个等离子体生成喷嘴(31),在该罩构件(93)和工件之间形成窄小的空间,使从吹出口吹出并碰到工件后被弹回的等离子体,再次被推回,滞留在所述空间内。因此,可以对大面积的工件进行均匀的等离子体照射,并且通过所述空间抑制等离子体冷却,使等离子体存在比较长的时间(消失的比例变小),可以提高照射效率。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 生成 装置 使用 工件 处理 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体生成装置,其特征在于包括:等离子体生成喷嘴,吹出等离子体;以及罩构件,在所述等离子体生成喷嘴的吹出口周围,形成比该等离子体生成喷嘴的前端面更宽的连续面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺日士钢机株式会社,未经诺日士钢机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810100192.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:系统输送活性剂的离子电渗方法和装置
- 下一篇:带有内装后视镜功能的车门安装板
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造