[发明专利]等离子处理装置及等离子处理方法有效
| 申请号： | 200810100302.0 | 申请日： | 2008-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101267708A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 黄太亨;张鸿永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;韩国科学技术院 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子处理装置及处理方法，其产生均匀等离子以对大面积基板能够实施匀化处理。该等离子处理装置包含：真空腔；配置于真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极；配置于真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；及计算施加于下部电极各块件的偏置功率、并控制偏置功率供给部的控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，其特征在于，包含：真空腔；配置于所述真空腔内部下侧、由多个块件形成的下部电极；配置于所述真空腔内部上侧、呈接地状态的上部电极；向所述真空腔内部提供工艺气体的工艺气体供给部；与所述下部电极连接、并施加电源功率的电源功率供给部；与所述下部电极的各块件分别连接、向各块件单独提供偏置功率的偏置功率供给部；计算施加于所述下部电极各块件的偏置功率、并控制所述偏置功率供给部的控制部。
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