[发明专利]用于形成系统级封装体的金属电极的方法无效
| 申请号： | 200810100494.5 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101330011A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄宗择 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于形成具有堆叠在多个层中的半导体器件的多层半导体器件的系统级封装体的金属电极的方法。所述方法可以包括形成延伸穿过多个层的通孔、在该通孔的下部形成具有高粘度的易燃材料层从而封住其下部、并通过将铜填充在该通孔中来形成穿透电极。存在一种在系统级封装体中有效地形成相对于堆叠的半导体器件的高度具有较深深度的穿透电极的效果。通过涂敷OSP、电解铜电镀和铜电镀工艺可以有效地在具有大的深宽比的通孔中填充铜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 系统 封装 金属电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供系统级封装体，包括具有堆叠在多个层中的半导体器件的多层半导体器件；以及形成延伸穿过所述多个层的通孔；以及在所述通孔的最下部形成具有高粘性的易燃材料；以及通过将铜填充在所述通孔中形成穿透电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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