[发明专利]GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法有效
| 申请号： | 200810100724.8 | 申请日： | 2008-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101404248A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 大岛佑一;柴田真佐知 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L33/00;C30B29/40;C30B25/02;C30B25/16 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 钟 晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种能够提高元件的成品率的GaN自支撑衬底及GaN自支撑衬底的制造方法。本发明涉及的GaN单晶具备衬底表面和包含在衬底表面上的极性反转区，极性反转区在衬底表面上的个数密度为20cm-2以下。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN单晶衬底，其特征在于，包括：衬底表面以及包含在上述衬底表面上的极性反转区；上述极性反转区在上述衬底表面上的个数密度为20cm-2以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
