[发明专利]CuTe单晶纳米带及其制备方法无效
| 申请号： | 200810100982.6 | 申请日： | 2008-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN101311384A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 师文生;佘广为 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B29/62;C30B30/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及CuTe单晶纳米带，特别涉及一种用电化学沉积制备CuTe单晶纳米带的方法。以Te的化合物和Cu盐为主要原料，以氨水为介质，以Pt片、饱和甘汞电极分别作对电极和参比电极，以导电玻璃或金属片(如Cu片)为工作电极，通过电化学分析仪给工作电极加上一定的电位，恒定温度下反应一段时间后，在工作电极上得到大量的CuTe单晶纳米带。CuTe单晶纳米带的厚度为10～100nm；宽度为100～800nm；长度几微米。所述的CuTe单晶纳米带为正交结构，沿[010]方向择优生长。 | ||
| 搜索关键词： | cute 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CuTe单晶纳米带，其特征是：所述的CuTe单晶纳米带的厚度为10～100nm，宽度为100～800nm，长度为1～10μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院理化技术研究所，未经中国科学院理化技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810100982.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种折叠门
- 下一篇：具有三维中空结构的硅及其制备方法
