[发明专利]一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法无效
| 申请号： | 200810101187.9 | 申请日： | 2008-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN101311347A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 奚中和;吴越;张耿民;崔宏宇;郭等柱 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/60 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有三维凹陷结构的硅及其制备方法，属于半导体材料及其制备领域。本发明具有三维凹陷结构的硅的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于A2，B1平行于B2，C1平行于C2；A1，B1，C1或A2，B2，C2所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。本发明还提供了一种通过气相沉积方法制备上述具有三维凹陷结构的硅的方法，该方法通过沉积在硅表面的金属锌与硅形成共熔生长上述具有三维立体结构的硅。和现有技术相比，本发明的优势在于：制备所需原料非常廉价；制备步骤简单；易于重复；制备参数容易控制；生成的产物结晶良好，且具有规则的三维立体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 三维 凹陷 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有三维凹陷结构的硅，其特征在于，所述的三维凹陷结构为直棱柱形，其底面为多边形，依次包括边A1，A2，B1，B2，C1，C2，其中A1平行于B2，B1平行于C2，C1平行于A2；且A1＞0，B1＞0，C1＞0，A2≥0，B2≥0，C2≥0；A1，B1，C1所在的直线两两相交得到的三个交点形成的三角形为正三角形。
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