[发明专利]槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管

摘要

本发明涉及槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为第一导电类型低电阻率层、上层为第一导电类型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着掺杂多晶硅层，其特点是：发射区的结深大于1μm，基区的结深为4.5-8μm；槽形栅区的结深为6.5-12μm；两个相邻的高掺杂浓度的槽形栅区与基区的交界处之间的距离L与槽形栅区的底部到硅衬底片的上表面的距离和基区的结深之差D的比值L/D＜1.8。本发明的优点是：抗击雪崩击穿的能力增强，在应用中的失效率降低1-2个数量级；具有显著的低成本、高性价比的功效。

主权项

1.一种槽形栅多晶硅结构的联栅晶体管，在其下层为第一导电类型低电阻率层、上层为第一导电类型高电阻率层的硅衬底片的上表面有多条第一导电类型的高掺杂浓度的发射区，发射区的上面连接着第一导电类型的掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层与发射极金属层连接，每条发射区的周围有第二导电类型的基区，基区的侧面连着掺杂浓度比基区高、深度比基区深度深的第二导电类型的槽形栅区，每条槽的底面和侧面覆盖着绝缘层，侧面绝缘层延伸到硅衬底片的上表面，栅区与栅极金属层相连，硅衬底片的上层位于基区以下和栅区以下的部分为集电区，硅衬底片的下层是集电极，集电极的下表面与集电极金属层相连，其特征在于：所述发射区的结深大于1μm；所述基区的结深为4.5-8μm；所述槽形栅区的结深为6.5-12μm；两个相邻的槽形栅区与基区的交界处之间的距离L与槽形栅区的底部到硅衬底片的上表面的距离和基区的结深之差D的比值L/D＜1.8。