[发明专利]MOS力敏传感器

摘要

MOS力敏传感器属于压力传感器技术领域，其特征在于，含有结构芯片和密封盖板，在结构芯片上形成真空的硅杯，四周是原厚度硅片，中间是硅薄膜，硅膜片的边缘构成应力灵敏集中区，在该区用MOS晶体管和压敏电阻构成差分对管，当外力作用于硅膜片时应力会引起MOS晶体管沟道迁移率和压敏电阻电阻条迁移率的变化，当结构芯片和密封盖板上下键合连接时，在恒压源作用下，该差分对管输出的电压差与压力成线性关系。本发明具有制作工艺简单、稳定性和线性度好、灵敏度高、功耗低、参数可调的优点。

主权项

1.MOS力敏传感器，其特征在于，含有结构芯片和密封盖板，其中，结构芯片位于所述传感器的上层，中间是一个由空腔构成的倒置的硅杯，所述硅杯的纵截面呈倒梯形，四周是原厚度的体硅，中间是薄的硅膜，该硅膜呈四边形，该四边形的四条边是硅杯的应力敏感集中区，在相对着的两条边的两个中点分别制作MOS晶体管和压敏电阻构成一个差分对管，构成压敏元件，该差分对管采用在两个MOS晶体管的源端和两个压敏电阻的非接地端之间加恒压源的供电方式，在有压力作用于所述结构芯片中间的硅膜时，会引起MOS晶体管沟道迁移率和压敏电阻迁移率的变化，使得差分对管输出的电压差与压力成线性关系；密封盖板位于所述传感器的下层，与所述结构芯片用键合方式密封连接。