[发明专利]一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法有效
| 申请号： | 200810101961.6 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101249962A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 邓斯天;傅云义;李琛;王川;廖怀林;黄如;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法，属于微加工技术领域。该方法首先将硅衬底表面抛光或选择已经单面或双面抛光的硅衬底；在硅衬底表面预制若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽，凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致，对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀，即可形成孔洞有序排列的多孔硅。采用本发明，多孔硅孔洞将沿着凹槽方向整齐排列，工艺简单、可靠，降低有序多孔硅的制备成本。而且通过预先设计凹槽的方向或排列方式，可有效制备一维或二维孔洞有序排列的多孔硅。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 孔洞 有序 排列 多孔 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种孔洞有序排列的多孔硅的制备方法，其步骤包括：1)选择单面或双面抛光的硅作为衬底；2)在硅衬底表面制得若干个与多孔硅的孔洞宽度相匹配的凹槽，凹槽的排列与所述多孔硅的孔洞分布一致；3)对上述带有凹槽的硅片进行阳极腐蚀，形成孔洞有序排列的多孔硅。
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