[发明专利]控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法无效
| 申请号： | 200810102198.9 | 申请日： | 2008-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101540357A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 梁凌燕;叶小玲;金鹏;陈涌海;徐波;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 组织 铟镓砷 量子 成核 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上采用分子束外延或金属有机物化学气相淀积的方法淀积缓冲层，来隔离衬底中的杂质和位错，并使生长表面更加平整；步骤3：在缓冲层上淀积应力缓减层，来缓减缓冲层与铟镓砷材料之间的应变；步骤4：在应力缓减层上依序淀积第一层铟镓砷、超薄砷化铝和第二层铟镓砷层，形成铟镓砷浸润层和铟镓砷量子点层，完成生长的制备。
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