[发明专利]聚合物复合原位生长纳米粒子分子薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810102299.6 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101538370A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 郭岩宝;王德国 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（北京） |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;B32B27/08;B32B27/18;B32B27/04;B32B7/00;C08L39/00;C08L33/02;C08K3/06;B29C70/40;C10M171/00 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种聚合物复合原位生长纳米粒子分子薄膜及其制备方法，本发明的薄膜具有至少1双层的聚二烯丙基二甲基氯化铵膜层与含有硫化铜纳米粒子的聚丙烯酸膜层的复合膜层，该薄膜是采用分子沉积技术，在基片上利用原位生长生成硫化铜纳米粒子，从而制备了含有硫化铜纳米粒子的复合薄膜，纳米粒子在膜中分布均匀，无明显团聚现象，且本发明的复合薄膜具有良好耐磨性、低摩擦、抗磨损的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 复合 原位 生长 纳米 粒子 分子 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种聚合物复合原位生长纳米粒子分子薄膜，该薄膜具有至少1双层的聚二烯丙基二甲基氯化铵膜层与含有硫化铜纳米粒子的聚丙烯酸膜层的复合膜层。
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