[发明专利]一种在凸面基底上直接制作光刻胶母光栅的方法无效

专利信息
申请号: 200810102683.6 申请日: 2008-03-25
公开(公告)号: CN101246229A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 周倩;李立峰 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G02B27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种在凸面基底上直接制作光刻胶母光栅的方法,属于光栅制作技术领域。加工制作凹面光栅基底;加工制作凸面母光栅基底;在凸面母光栅基底的工作面上旋涂感光材料;采用全息法曝光得到凸面光刻胶掩模光栅;显影,得到凸面光刻胶掩模光栅,即为光刻胶母光栅。对光刻胶母光栅进行光栅的复制;或对显影后得到的光刻胶凸面光栅进行离子束刻蚀,复制;制作出与此凸面母光栅相对应的凹面光栅。本发明避免了直接在凹面基底上进行离子束刻蚀的难题,在保证良好的成像质量的前提下,可以实现对最终产品凹面光栅槽型的精确控制。同时,凸面母光栅可以大量复制制作子代凹面光栅,非常适合于工业化生产。
搜索关键词: 一种 凸面 基底 直接 制作 光刻 光栅 方法
【主权项】:
1、一种在凸面基底上直接制作光刻胶母光栅的方法,其特征在于,该方法步骤如下:(1)加工制作凹面光栅基底;(2)加工制作凸面母光栅基底:所述凸面母光栅基底的工作面面型与步骤(1)中的凹面光栅基底的工作面面型相一致;所述凸面基底的功能面为平面、球面或非球面;凸面基底的工作面和功能面都是光学面,做抛光处理;所述制作凸面基底的材料对曝光所用的光波长是透明的;(3)在步骤(2)所得凸面母光栅基底的工作面上旋涂感光材料,得到感光材料层(140);(4)采用全息法曝光得到凸面光刻胶掩模光栅;(5)对步骤(4)中曝光后的感光材料层进行显影,得到凸面光刻胶掩模光栅,即为光刻胶母光栅。
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