[发明专利]一种应用于低频段的高隔离度宽带RFMEMS开关电路无效
| 申请号： | 200810102777.3 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101262083A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 姚军;张理;邱传凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | H01P1/10 | 分类号： | H01P1/10 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 贾玉忠;卢纪 |
| 地址： | 61020*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于低频段的高隔离度宽带RF MEMS开关电路，其特征是：射频电路结构位于衬底(9)上，在衬底(9)的纵向的两端排布有共面波导传输线(8)，MEMS电容式开关(5)位于共面波导传输线(8)的上面；MEMS电容式开关(5)通过弹簧装置的开关梁(6)和加入的短截高阻线(1)与共面波导地平面(7)相连；两个级联的MEMS电容式开关(5)与连接它们的共面波导高阻传输线(4)构成π型调谐电路；在共面波导传输线(8)和共面波导高阻传输线(4)的两侧与共面波导地平面(7)之间分布有衬底刻槽(3)。本发明的RF MEMS电容式并联开关电路可以在低频段获得很高的隔离度性能，同时也保持良好的宽带，有效提高了RF MEMS开关在射频电路和单片集成中的应用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 频段 隔离 宽带 rfmems 开关电路 | ||
【主权项】：
1、一种应用于低频段的高隔离度宽带RF MEMS开关电路，其特征是：射频电路结构位于衬底(9)上，在衬底(9)的纵向两端排布有共面波导传输线(8)，MEMS电容式开关(5)位于共面波导传输线(8)的上面；MEMS电容式开关(5)通过开关梁(6)与共面波导地平面(7)相连；两个级联的MEMS电容式开关(5)与连接它们的共面波导高阻传输线(4)构成π型调谐电路。
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