[发明专利]一种垂直结构氮化物LED的制备方法无效
| 申请号： | 200810102801.3 | 申请日： | 2008-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN101546799A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 段瑞飞;王军喜;曾一平;王国宏;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种垂直结构氮化物LED的制备方法，包括：取一生长氮化物的衬底；在衬底上生长辅助剥离层，该剥离层使得衬底和后续外延材料之间的键合相对较弱；在辅助剥离层上，采用MOCVD方法生长氮化物成核层，保证氮化物的高质量；在氮化物成核层上生长一层氮化镓厚层材料；在氮化镓厚层材料上，采用MOCVD方法生长多量子阱LED结构层，形成氮化物LED的发光层，其中p型氮化物的制备可以通过HVPE来实现；剥离衬底和辅助剥离层以及部分氮化物成核层，得到垂直结构的氮化物LED外延片；在多量子阱LED结构层上制作上电极；在与外延层相连的氮化物成核层下面制作一下电极，完成垂直结构氮化物LED的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 氮化物 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种垂直结构氮化物LED的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一生长氮化物的衬底；步骤2：在衬底上生长辅助剥离层，该剥离层使得衬底和后续外延材料之间的键合相对较弱，能够通过升降温或者外力作用实现衬底与外延层的自动分离；步骤3：在辅助剥离层上，采用MOCVD方法生长氮化物成核层，保证氮化物的高质量；步骤4：在氮化物成核层上，采用HVPE方法生长一层氮化镓厚层材料，以便后续的外延材料可以自我支撑；步骤5：在氮化镓厚层材料上，采用MOCVD方法生长多量子阱LED结构层，形成氮化物LED的发光层，其中p型氮化物的制备可以通过HVPE来实现；步骤6：剥离衬底和辅助剥离层以及部分氮化物成核层，得到垂直结构的氮化物LED外延片；步骤6：在多量子阱LED结构层上制作上电极；步骤7：在与外延层相连的氮化物成核层下面制作一下电极，完成垂直结构氮化物LED的制备。
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