[发明专利]npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构有效
| 申请号： | 200810103253.6 | 申请日： | 2008-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101552284A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/43;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管(DHBT)外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层。利用本发明，可避免载流子在超晶格结构中隧穿对运动速度的降低，能提高DHBT的频率特性，消除了InGaAs基极和InP集电极所形成的导带尖峰。 | ||
| 搜索关键词： | npn ingaas inp dhbt 外延 结构 | ||
【主权项】：
1、一种npn型InGaAs/InP双异质结双极性晶体管DHBT外延层结构，该DHBT外延层结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，其特征在于：所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层。
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