[发明专利]一种气体分配装置及应用该分配装置的半导体处理设备有效
申请号: | 200810103727.7 | 申请日: | 2008-04-10 |
公开(公告)号: | CN101556904A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 南建辉;姚立强;徐亚伟;宋巧丽 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;C23F4/00;C23C16/455 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张天舒;陈 源 |
地址: | 100016北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种气体分配装置,其包括从上至下依次层叠设置的支撑板、阻流板和喷淋头电极。在支撑板的背面设置有第一支撑台以及支撑板导流凸台,相邻支撑板导流凸台之间形成支撑板沟槽。在阻流板的正面设置第二支撑台和阻流板沟槽,相邻阻流板沟槽之间形成阻流板导流凸台。所述沟槽的宽度和深度均大于相应导流凸台的宽度和高度,以便第一支撑台与第二支撑台的相互接触时,所述导流凸台可嵌入到相应沟槽内,并在二者之间保持一定间隙以传递并分配气体。此外,本发明还公开一种应用上述气体分配装置的半导体处理设备。本发明提供的气体分配装置和半导体处理设备不仅能够将气体较为均匀地分配到反应腔室内,而且还具有便于加工、不易损坏等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 气体 分配 装置 应用 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种气体分配装置,用于将气体均匀地分配至反应腔室内,其包括从上至下依次层叠设置的支撑板、阻流板和喷淋头电极,所述支撑板上设置有进气通道,用于将气体引入到所述气体分配装置内;所述喷淋头电极上开设有排气通道,其特征在于:所述支撑板的背面设置有第一支撑台以及支撑板导流凸台,相邻支撑板导流凸台之间的部分、第一支撑台与支撑板导流凸台之间的部分以及相邻第一支撑台之间的部分形成支撑板沟槽;对应于所述第一支撑台,而在所述阻流板的正面设置第二支撑台,借助于第一支撑台与第二支撑台的相互支撑而将所述支撑板与所述阻流板叠置在一起;对应于所述支撑板导流凸台,而在所述阻流板的正面设置阻流板沟槽,相邻阻流板沟槽之间的部分形成阻流板导流凸台,所述阻流板沟槽的宽度和深度均大于所述支撑板导流凸台的宽度和高度,所述支撑板沟槽的宽度和深度均大于所述阻流板导流凸台的宽度和高度,以使所述支撑板导流凸台可嵌入到所述阻流板沟槽内,以及使所述阻流板导流凸台可嵌入到所述支撑板沟槽内,所述支撑板导流凸台与所述阻流板沟槽的底部和侧面之间保持有间隙,同时所述阻流板导流凸台与所述支撑板沟槽的底部和侧面之间保持有间隙,以便气体通过所述间隙而进行传递和扩散;以及在所述阻流板沟槽的底面设置有贯通所述阻流板的阻流板通孔,以便将来自所述间隙的气体传递到所述喷淋头电极的上方,并借助于所述排气通道而将所述气体排出到反应腔室内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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