[发明专利]用于相变存储器的Si－Te－Sb系列相变薄膜材料无效
| 申请号： | 200810103803.4 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101257090A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 韩晓东;成岩;王珂;张泽;宋志棠;刘波;张挺;封松林 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C16/02;G11B7/243;C22C12/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 用于相变存储器的Si－Te－Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge2Te5Sb2材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅－碲－锑存储材料，组成通式为SiaTebSb100－(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能力。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储器 si te sb 系列 薄膜 材料 | ||
【主权项】：
1、一种用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料，其特征在于所述的存储材料为硅-碲-锑的混合物，组成通式为SiaTebSb100-(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。
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