[发明专利]一种三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法无效
| 申请号： | 200810103810.4 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101257016A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;任天令;谢丹;刘理天;杨景铭 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;H01L27/115;H01L21/02;H01L21/82;H01L21/8247;H01G4/33;H01G4/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于，所述PZT薄膜是由Pb0.5(Zr1－xTix)0.5O3薄膜制成的，其中X＝0.4，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI－MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 结构 pzt 电容 及其 mocvd 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维结构PZT电容，其特征在于，该PZT电容在纵截面上从下到上依次含有：中间部位凹下的三维结构硅支撑衬底，使用感应耦合等离子体ICP刻蚀形成，下电极，由至少包括Ir、Pt/Ti、Ru、Cu、金红石型结构氧化物、钙钛矿型结构氧化物在内的材料溅射或蒸发形成，PZT薄膜介质结构，用直接液体输运式MOCVD(DLI-MOCVD)形成，其中，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，上电极，由至少包括Ir、Pt/Ti、Ru、Cu、金红石型结构氧化物、钙钛矿型结构氧化物在内的材料溅射或蒸发形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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