[发明专利]控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配置方法

摘要

控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配置方法属于PZT薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃30ml，四－乙二醇二甲醚4ml，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb_0.5(Zr_0.4Ti_0.6)_0.5O₃组分PZT薄膜，衬底为1～8英寸，均匀性大于95％，厚度为1500埃。

主权项

1.控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配置方法，其特征在于，所述配置方法依次含有如下步骤：步骤(1)设定：溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃为30ml，四-乙二醇二甲醚为4ml，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，按下式计算Pb、Zr、Ti的单质用量，制成的总溶剂体积为0.034L先驱体溶液：单质用量＝单质元素百分比×溶质摩尔浓度×总溶剂体积×摩尔质量，其中，相当于单质用量的三种单质固态源分别为Pb(THD)2、Zr(THD)2以及Ti(O-iPr)2(THD)2，其摩尔质量依次分别为572g/mol、452g/mol以及526g/mol，得到Pb＝0.735g，Zr＝1.183g，Ti＝0.451g；步骤(2)把步骤(1)所述三种单质固态源先分溶于四氢呋喃溶剂，再加入适量的防止热解的四-乙二醇二甲醚，配置成先驱体溶液；步骤(3)在室温下，把步骤(2)得到的先驱体溶液搅拌2～4小时，将固体溶质充分溶解在四氢呋喃溶剂中，以便在特定衬底上制备120nm-150nm的PZT薄膜。