[发明专利]基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头有效
| 申请号： | 200810103812.3 | 申请日： | 2008-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101251997A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 南策文;张毅;马静;邓朝勇;李峥;林元华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市100*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，该读取磁头由生长在基片上的铁电氧化物层和磁性层构成。该读取磁头结构上有多种方案，包括生长在基片上的铁电氧化物层为第一层、磁性层为第二层，形成第一种结构单元；或生长在基片上的磁性层为第一层，铁电氧化物层为第二层，形成第二种结构单元；第一种结构单元在基片上重复堆叠；第二种结构单元在基片上重复堆叠；在基片上重复堆叠的第一种结构单元上面再堆叠一层铁电氧化物层；在基片上重复堆叠的第二种结构单元上面再堆叠一层磁性层以及在铁电氧化物基片上生长一层磁性层。该多铁性复合薄膜读取磁头与传统读取磁头相比具有无需外加偏置磁场、结构简单、无能耗等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁电 效应 多铁性 复合 薄膜 读取 磁头 | ||
【主权项】：
1.一种基于磁电效应的多铁性复合薄膜读取磁头，其特征在于：所述的读取磁头采用多铁性磁电复合薄膜，该复合薄膜由生长在基片(303)上的铁电氧化物层(302)和磁性层(301)构成。
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