[发明专利]背面出光的单芯片白光发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 200810104053.2 | 申请日： | 2008-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN101562222A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 张国义;杨志坚;方浩;陶岳彬;桑立雯;李丁 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种背面出光的单芯片白光LED及其制备方法，在双面抛光的蓝宝石衬底上依次层叠非掺杂GaN层、蓝光有源层、黄绿光光致荧光层、n型欧姆接触层、紫外光有源层和p型欧姆接触层，其中：所述紫外光有源层是可发射紫外光波段的量子阱；所述黄绿光光致荧光层是在制备时引入缺陷而形成的非掺杂GaN层，可在紫外光激发下发出黄绿色荧光。紫外光有源层发射的紫外光部分通过荧光转换得到的黄绿光，部分被蓝光有源层吸收激发出蓝光，黄绿光和蓝光混合得到白光，经衬底的另外一面出射。本发明利用了荧光层发光和倒装焊工艺背面出光的技术优势，只需单一芯片即可发出白色光，制备工艺简单，无需荧光粉，受命长，具有较高光的电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 芯片 白光 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背面出光的单芯片白光发光二极管，包括一非掺杂GaN层、一蓝光有源层、一黄绿光光致荧光层、一n型欧姆接触层、一紫外光有源层和一p型欧姆接触层，依次层叠于双面抛光的蓝宝石衬底上，其中所述紫外光有源层是可发射紫外光波段的量子阱，所述黄绿光光致荧光层是可在紫外光激发下发出黄绿色荧光的非掺杂GaN层。
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