[发明专利]一种用于强电场测量的无电极型的光电集成传感器有效
| 申请号： | 200810104165.8 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101251559A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 牛犇;曾嵘;王博;李欢;耿屹楠;何金良 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12;G01R19/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人： | 廖元秋 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于强电场测量的无电极型光电集成传感器，属于高电压测量技术领域。该传感器包括采用具有电光效应的晶片，在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成的输入端Y形分叉、中间平行对称两分支的光波导，利用畴工程方法在其中一分支光波导的表面覆盖一畴反转区域，其特征在于，在该光波导输出端连接有构成2×2的3dB波导定向耦合器的光波导。本发明可以满足强电场(大于3000kV/m)的测量；不仅可以测量强电场信号的幅值，还可以用于测量电场的频率、相位等信息；具有位置分辨能力强、响应速度快、频带宽的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 电场 测量 电极 光电 集成 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种用于强电场测量的无电极型光电集成传感器，其特征在于，包括采用具有电光效应的晶片，在晶片表面用钛金属扩散法或质子交换方法形成的输入端Y形分叉、中间平行对称两分支的光波导，利用畴工程方法在其中一分支光波导的表面覆盖一畴反转区域，其特征在于，在该光波导输出端连接有构成2×2的3dB波导定向耦合器的光波导。
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