[发明专利]一种用于监控介质平坦化过程的方法有效
| 申请号： | 200810104224.1 | 申请日： | 2008-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101562135A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 金智;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于监控介质平坦化过程的方法，包括：A.在制作异质结双极性晶体管HBT的过程中，制作特定的监控图形；B.在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上，旋涂光刻胶、光刻、显影，在监控图形上制作特定形状的图形；C.利用氧气或含有氧气的等离子体刻蚀基片一定时间；D.在光学显微镜下观察监控图形；E.重复步骤C和D直到露出发射极金属、基极和集电极接线柱。本发明制作监控图形与器件的工艺同步进行，不需要额外的工艺过程，降低了监控难度，提高了监控精度；同时本发明也避免了使用复杂设备的开销，有效节约成本，可以准确监控平坦化过程，使工艺稳定，避免过刻蚀或欠刻蚀造成的工艺不稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 监控 介质 平坦 过程 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于监控介质平坦化过程的方法，其特征在于，该方法包括：A、在制作异质结双极性晶体管HBT的过程中，制作特定的监控图形；B、在有监控图形且已进行介质平坦化的基片上，旋涂光刻胶、光刻、显影，在监控图形上制作特定形状的图形；C、利用氧气或含有氧气的等离子体刻蚀基片一定时间；D、在光学显微镜下观察监控图形；E、重复步骤C和D直到露出发射极金属、基极和集电极接线柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
