[发明专利]一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法无效
申请号: | 200810104670.2 | 申请日: | 2008-04-23 |
公开(公告)号: | CN101565856A | 公开(公告)日: | 2009-10-28 |
发明(设计)人: | 吴以成;鲁路;傅佩珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院理化技术研究所 |
主分类号: | C30B33/00 | 分类号: | C30B33/00 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王凤华 |
地址: | 100190北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法,步骤如下:将硅烷偶联剂、乙酸、去离子水和低沸点有机溶剂混合,硅烷偶联剂发生水解反应得到镀膜溶胶液;硅烷偶联剂R-Si(OCH3)3,R为n-十二烷基、辛基或γ-环氧丙氧丙基;低沸点有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮;将镀膜溶胶液均匀涂抹在硼酸盐晶体表面,经阴干,硼酸盐晶体表面制得预聚合有机硅疏水膜;再于80~140℃下进行热处理,晶体表面上形成致密的有机硅防潮保护膜;其优点:带-Si(OCH3)3官能团的硅烷偶联剂在晶体表面形成有机硅聚合物,与晶体表面共价键相连接,硅烷偶联剂的有机官能团具疏水性,可阻隔空气中水分子与晶体表面接触,提高晶体抗潮解能力。 | ||
搜索关键词: | 一种 硼酸盐 晶体 表面 制备 有机硅 防潮 保护膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种在硼酸盐晶体表面制备有机硅防潮保护膜的方法,其步骤如下:1)镀膜溶胶液的制备将硅烷偶联剂、乙酸、去离子水和低沸点有机溶剂按照1∶0.2~0.5∶0.1~1∶5~20的体积比混合,使硅烷偶联剂发生水解反应得到镀膜溶胶液;所述的硅烷偶联剂通式为R-Si(OCH3)3,闪点为110℃~140℃,R基团为具有疏水功能的有机官能团,为n-十二烷基、辛基或γ-环氧丙氧丙基;所述的低沸点有机溶剂为乙醇、甲醇或丙酮;2)镀膜将步骤1)得到的镀膜溶胶液均匀涂抹在需要保护的硼酸盐晶体表面,再在干燥器中阴干6-24小时,在硼酸盐晶体表面上制得预聚合有机硅疏水膜;3)热处理固化将表面上制有预聚合有机硅疏水膜的硼酸盐晶体在80-140℃下经过8-48小时热处理,在硼酸盐晶体表面上形成致密的有机硅防潮保护膜。
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