[发明专利]一种生长可控量子点和量子环的方法无效
| 申请号： | 200810104761.6 | 申请日： | 2008-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101567521A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 赵暕;陈涌海;王占国;徐波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343;H01S5/00;H01L21/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 可控 量子 子环 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生长可控量子点和量子环的方法，其特征在于，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。
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