[发明专利]一种碳化铝铬陶瓷粉体的常压合成方法无效
| 申请号： | 200810105008.9 | 申请日： | 2008-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN101265104A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李世波;贝国平;翟洪祥;周洋 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/56 | 分类号： | C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100044北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳化铝铬陶瓷粉体的常压合成方法，以Cr粉、Al粉和C粉为原料，按Cr∶Al∶C＝2∶(1～1.3)∶1的摩尔比配料，干混10小时后，在30～50MPa压力下压制成块，将压块置于高温炉中，氩气气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1350～1500℃，保温时间为5～30min，制得高纯度低成本Cr2AlC粉体。该方法具有：合成Cr2AlC粉体温度范围宽，时间短，纯度高，成本低，所用设备简单，工艺参数稳定，适用于规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化 陶瓷 常压 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化铝铬陶瓷粉体的常压合成方法，其特征在于，含有以下步骤：(1)以Cr粉、Al粉和C粉为原料，按Cr∶Al∶C＝2∶(1～1.3)∶1的摩尔比配料；(2)将上述配料和玛瑙球放入球磨罐中，在球磨机上干混10小时；(3)将上述混合均匀的配料在30～50MPa压力下压制成块；(4)将上述压块置于高温炉中，在氩气气氛下，以15～50℃/min的升温速率将炉温升至1350～1500℃，保温时间为5～30min，制得Cr2AlC粉体。
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