[发明专利]薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法有效
| 申请号： | 200810105178.7 | 申请日： | 2008-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101281948A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 康香宁;章蓓;包魁;代涛;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，属于GaN基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；所述蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；利用压印模板，在上述有机聚合物上形成光子晶格结构；从上述带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至所述蓝宝石衬底与所述非掺杂的GaN层分离，同时，所述非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。本发明适合大面积制备薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管，可产业化应用。 | ||
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【主权项】：
1、一种薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管的制备方法，其步骤包括：1)在蓝宝石衬底上，生长多层GaN基发光二极管材料，包括非掺杂的GaN层、n型GaN层、多量子阱、P型GaN层；2)在GaN基发光二极管材料上制备GaN基发光二极管；3)所述蓝宝石衬底上均匀涂布一层有机聚合物；4)利用压印模板，在上述有机聚合物上形成光子晶格结构；5)从上述带有光子晶格结构的有机聚合物一面，激光辐照所述蓝宝石衬底，至所述蓝宝石衬底与所述非掺杂的GaN层分离，同时，所述非掺杂的GaN层材料形成光子晶格结构，从而得到薄膜型光子晶格结构GaN基发光二极管。
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