[发明专利]刻蚀停止层、具有通孔的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 200810105311.9 | 申请日： | 2008-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101572252A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;孙武;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/522;H01L23/532;H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董立闽;李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，以及位于所述碳化硅层之上的氮化硅层。本发明还公开了该刻蚀停止层的相应的形成方法，以及采用了该刻蚀停止层的具有通孔的半导体器件及其形成方法，采用本发明的刻蚀停止层后，可以在低K值的情况下，扩大刻蚀工艺的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 停止 具有 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种刻蚀停止层，包括在衬底上形成的含氮的碳化硅层，其特征在于：所述刻蚀停止层还包括形成于所述碳化硅层之上的氮化硅层。
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